SK hynixは2日(韓国時間)、昨年(2019年)8月に発表した広帯域メモリ「HBM2E」の本格的な量産を開始したことを発表した。
HBM2Eはピンあたり3.6Gbpsの転送速度を備え、1,024基のI/Oで1チップあたり約460GB/sの通信を可能にする高速なメモリ。3.7GBのフルHD動画であれば、1秒で124個の転送が行なえる。TSV(シリコン貫通ビア)技術を使用し、16Gbのチップ8個を積層して16GBの容量を実現。前世代のHBM2に対して、2倍以上の容量を搭載可能にした。
高速転送、大容量、低消費電力を特徴とし、ディープラーニングのアクセラレータやHPC(High Performance Computing)、エクサスケール級のスパコンに好適としている。
関連リンク SK hynixのホームページ(英文) ニュースリリース(英文)
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2019年8月13日